Codificación de diodos, transistores, tiristores, etc.

La codificación de los transistores, tiristores, diodos y otros semiconductores se basa en la standardización de los siguientes organismos:

JEDEC, JISC y PRO ELECTRON

JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council):

Estándar: digito, letra, serial, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2N2222A , 2N3055

Digito: El numero designa el tipo de dispositivo

1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET
4: Optoacoplador
5: Optoacoplador

Letra: Se usa siempre la N

Serial: El número de serie se sitúa entre el 100 y el 9999 y no dice nada sobre el dispositivo, salvo su fecha aproximada de introducción.

Sufijo (opcional): indica la ganancia (hfe) genérica del dispositivo:

A: Ganancia baja
B: Ganancia media
C: Ganancia alta


JISC (Japanese Industrial Standard committee)

Estándar: digito, dos letras, numero de serie, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2SA1157 , 2SB531

Digito: El numero designa el tipo de dispositivo

1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET
 

2 letras: Las letras especifican el área de aplicación

SA: PNP HF transistor
SB: PNP AF transistor
SC: transistor NPN HF
SD: transistor NPN AF
SE: Diodos
SF: Tiristores
SG: Dispositivos de disparo
SH: UJT
SJ: FET/MOSFET canal P
SK: FET/MOSFET canal N
SM: Triac
SQ: LED
SR: Rectificador
SS: diodo de señal
ST: diodo de avalancha
SZ: diodo zener


El número de serie: varia entre 10 y 9999.


El sufijo (opcional): indica que dicho tipo está aprobado para el empleo por varias organizaciones japonesas.
 


PRO ELECTRON: (EECA: European Electronic Component Manufacturers)

Estándar: dos letras, letra (opcional), numero de serie
Ejemplo: BC108A, BAW68, BF239

Primera letra: especifica el material semiconductor empleado

A: Germanio
B: Silicio
C: Arseniuro de galio
R: Materiales compuestos


Segunda letra: especifica el tipo de dispositivo

A: Diodo de bajo poder o baja señal
B: Diodo de capacitancia variable (varicap)
C: transistor, de audio frecuencia (AF), pequeña señal
D: transistor, AF, potencia
E: Diodo tunel
F: transistor, alta frecuencia (HF), pequeña señal
K: Dispositivo de efecto Hall
L: Transistor, HF, potencia
N: Optoacoplador
P: Fotorreceptor
Q: Emisor de luz
R: Dispositivo de conmutación, baja potencia, ej: tiristor, diac, UJT etc
S: Transistor, conmutación de baja potencia
T: Dispositivo de conmutación, potencia, ej: tiristor, triac, etc.
U: Transistor de potencia, conmutación
W Dispositivo de onda acústica de superficie (SAW)
Y: Diodo rectificador
Z: Diodo zener

Tercera letra (opcional): La tercera letra indica que el dispositivo está pensado para aplicaciones industriales o profesionales, más que para uso comercial. suele ser una W, X, Y o Z.

Numero de serie: varia entre 100 y 9999

 

Perooo EXISTEN OTROS:

Hay fabricantes que introducen su propia referencia por razones comerciales o para resaltar el uso del componente.


Los prefijos más comunes son:

MJ: Motorola potencia, cápsula de metal
MJE: Motorola potencia, cápsula de plástico
MPS: Motorola baja potencia, cápsula de plástico
MRF: Motorola HF, VHF y transistores microondas
RCA: RCA
RCS: RCS
TIP: Texas Instruments transistor de potencia (cápsula de plástico)
TIPL: TI transistor de potencia plano
TIS: TI transistor de pequeña señal (cápsula de plástico)
ZT: Ferranti
ZTX: Ferranti

Nos podemos encontrar semiconductores de fabricación especial para alguna Firmas, ¡imposible entender la codificación!, hay que morir en el fabricante del producto, no en el distribuidor del fabricante del semiconductor.

Algunos encapsulados populares:

73, Packo EA3GLB